柯岷国际贸易(上海)有限公司

新闻分类

产品分类

联系我们

柯岷国际贸易(上海)有限公司

手机:13812899557 (韩先生)

座机:(0512)57385571

手机:18706260499 (宋先生)

座机:(0512)57385575

传真:(0512)57307742

网址:www.techmax-ehong.com

地址:江苏省昆山市春旭路18号联彩中心802室


FIB聚焦离子束投影曝光技术的优点

您的当前位置: 首 页 >> 新闻中心 >> 技术知识

FIB聚焦离子束投影曝光技术的优点

发布日期:2016-07-27 作者: 点击:

FIB聚焦离子束投影曝光技术的优点

聚焦离子束投影曝光除了前面已经提到的曝光灵敏度极高和没有邻近效应之外还包括焦深大于曝光深度可以控制。离子源发射的离子束具有非常好的平行性,离子束投影透镜的数值孔径只有0.001,其焦深可达100μm,也就是说,硅片表面任何起伏在100μm之内,离子束的分辨力基本不变。而光学曝光的焦深只有1~2μm为,图5显示了聚焦离子束投影曝光获得的线条图形。线条跨越硅片表面的起伏结构时其线宽没有任何变化。聚焦离子束投影曝光的另一个优点是通过控制离子能量可以控制离子的穿透深度,从而控制抗蚀剂的曝光深度。

聚焦的离子束在半导体行业有着重要作用,可用来切割纳米级结构,对光刻技术中的屏蔽板进行修补,制作透射电镜样品,分离和分析集成电路的各个元件,激活由特殊原子组成的材料,使其具有导电性等等。我国的科研单位及高等院校在聚焦离子束曝光技术及其应用方面也作了大量的研究工作并取得了可喜的成绩。我们相信,随着我国微电子工业的发展,聚焦离子束曝光技术及其应用技术也必将被提高到新的水平。柯岷国际贸易(上海)有限公司

FIB聚焦离子束





本文网址:http://www.techmax-ehong.com/news/234.html

相关标签:FIB聚焦离子束

最近浏览:

在线客服
分享 一键分享